将他引到自己的电脑前，调出了芯片的设计版图。

    密密麻麻的电路结构图，充满了复杂的工业美感。

    “我们这款芯片，代号为‘雷芯IGBT-G1’，采用的是第一代的穿通型（PT）技术。”

    陈启明指着屏幕上的结构图，快速介绍起来。

    “虽然我们有东芝提供的技术资料作为参考，但毕竟是第一次做，团队里的工程师都是边学边干，能把设计完整地跑通，已经非常不容易了。”

    他的语气里充满了自豪。

    这可是雷霆半导体，也是他陈启明职业生涯中，从零到一设计出的第一款功率芯片。

    马宇腾点点头，他对这个结果并不意外，也没有表现出过分的苛刻。

    IGBT，绝缘栅双极型晶体管。

    这个听起来无比拗口的元器件，被誉为电力电子装置的“CPU”，是能源变换与传输的核心。

    现在虽然用处不多，但在未来，小到变频家电，新能源汽车，大到高铁动车、智能电网，都离不开它。

    在穿越前，这项技术长期被国外的巨头垄断。

    雷霆半导体作为一个新手，能在东芝的技术人员帮助下，用一年多的时间就拿出第一款完整的设计，这个速度，已经堪称奇迹。

    “这款芯片的性能，和现在市场上的主流产品比，差距有多大？”

    马宇腾问出了最关键的问题。

    陈启明的脸色稍微黯淡了一些。

    “差距……还是不小的。”

    他坦诚道。

    “我们采用的第一代穿通型技术，结构上存在天然的缺陷，导致芯片的开关损耗比较大，时效性能也比较差。”

    “而现在市场上，像英飞凌、东芝半导体的主流产品，基本都已经是第二代非穿通型（NPT）甚至第三代场截止型（FS）技术了。我们的‘G1’，大概只相当于他们五、六年前的水平。”