ND 末期核心量产节点，FG，Floating Gate技术也就是平面浮栅整套底层专利几乎被美光+ IBM 联合垄断，这部分的专利我会让蔡总提前向美光和IBM申请授权。”

    “这个是没办法的事情，我们的一些工艺也会被强制共享出去一部分。”

    “绕不开？”陈星皱着眉问道。

    “绕不开。”林先动说道：“只要做平面 FG NAND，单元底层结构必然落入其专利保护范围，无任何的绕开空间，28n以下平面 FG 天生存在浮栅导体耦合串扰、隧穿氧化层漏电、擦写耐久差三大物理短板，没有任何改良的路径。”

    “这是物理特性决定的，不以人为意志转移。”

    这种纯技术的东西，陈星就有点抓瞎了，他知道知道2D平面NAND这条路线会被走死，未来会向3DNAND发展，更知道3DNAND的一些技术路径。

    可你要是让他说2DNAND技术路径和绕开专利，那真抓瞎。

    毕竟上一世自己出生的时候红星走的就是3D路线，压根就没经历过2D时代。

    回想了半天，陈星也只想起来一个氮化硅，主要2D平面NAND是这玩意上一世的时候《红星本纪》里面压根就没写过啊，自家老爹也从来没提过。

    氮化硅三个字还是一个叫尹阳君的朋友告诉他的。

    “那个，陆教授，林博士，要不你们试试氮化硅？”

    陈星只说了这一句，多了也没法说，也不知道说什么，氮化硅是在哪个节点用的，怎么用的，统统不知道。

    “氮化硅？”

    林先动咂摸着这个名字，不知道陈总为什么会突然说这东西。

    和闪存工艺以及IBM的专利好像没什么……

    不对！