片！”

    他总算明白了。

    相比于CPU、内存这些需要不断追赶先进位程的通用芯片，功率半导体的制程要求确实没那么高，技术门坎相对较低。

    更重要的是，这块市场在国内几乎是空白，完全被国外厂商拢断。

    雷霆半导体选择这个赛道切入，确实是一步妙棋。

    “马总，其实我们华晶，跟功率半导体也算有些渊源。”

    东晶的总工程师王洪鑫扶了扶眼镜，打开了话匣子。

    “早在六十年代末，我们厂的前身，就曾经生产过MOSFET晶体管。”

    “只是后来，考虑到当时国内的须求，我们的研发方向转向了用途更广泛的MCU（微控制器单元），没有继续在功率器件上深入。”

    王洪鑫解释道，IGBT可以看作是MOSFET和双极晶体管的结合体。

    它既有MOSFET驱动简单、开关速度快的优点，又具备双极晶体管导通压降低、可承受大电流的特性，特别适合用在高电压、大功率的场合，比如马宇腾心心念念的新能源汽车。

    而MOSFET，则更多用于开关电源、变频器等需要高频开关的领域。

    “虽然方向不同，但很多底层的生产工艺，还是有相通之处的。”

    话虽如此，当马宇腾提出希望华晶能为“雷芯G1”进行流片和代工时，对方还是露出了为难的神色。