，两家都有。”

    她顿了顿：“总体来说，陈老师的方案在某些细节上比我们考虑得更周全。特别是灵敏放大器，我们之前忽略了，回去得加上。”

    陈老师笑了笑：“钱工，你的方案也不差。预充电那个思路很好，我认为我们应该统合一下，做出更好的来。”

    钱兰点点头：“陈老师说的对，我邀请你到我们实验室参与设计，一起做出更好的存储来。”

    会议室里的气氛松弛下来。

    陈光远正要说话，陈老师又开口了：“等等，我还没讲完。”

    他转身，在黑板上又画了一个图。

    这次的图更复杂，阵列更大，线条更密。

    “这是我们设计的第二款。”他说，“动态随机存储。”

    台下安静了。

    陈老师指着那个图：“一管一容。一个比特只用一个管子加一个电容。面积是六管单元的六分之一，甚至十分之一。同样的芯片面积，容量能翻十倍。”

    他转过身，看着台下：“这一款的目标容量，是4kbit。

    台下有人倒吸一口气。

    4kbit，512个字节，是上一款的八倍。

    陈老师正要继续讲，钱兰又举手了。

    “陈老师，我能不能问几个问题？”

    陈老师看着她：“问。”

    钱兰站起来，走到黑板前。

    “第一，电容怎么画？”

    她拿起粉笔，在动态存储单元的图旁边画了一个剖面图。

    “五微米工艺，要在硅片上做一个能稳定存储电荷的电容。它需要极薄的介质层，需要足够大的极板面积，需要极低的漏电流。这三个要求，每一个都在挑战我们现有的材料和工艺极限。”

    她转过身，看着台下的胡教授。

    作为6305厂动力中心的专家，胡教授想了想，说：“钱兰说得对。我们目前能做出的最薄氧化层，针孔密度大概是每平方厘米几十个。做电容的话，漏电流会很大，存不住电荷。”

    陈老师的脸色变了一下，但没说话。

    钱兰继续问：“第二，怎么刷新？”

    她在黑板上画了一个时序图。

    “动态存储，电荷会漏，必须定期刷新。几毫秒就得把所有比特读一遍再写回去。这个刷新电路，如果做在外面，编程机的主控芯片就得额外处理刷新逻辑。如果做在里面，芯片面积又得加上一大块刷新控制电路。”

    她放下粉笔，看着陈老师：“而且刷新的时候，芯片不能正常读写，时序上就得留出‘空白期’。昆仑的编程机是实时编辑的，工程师敲键盘的时候，不能等几微秒让芯片‘喘口气’吧？”

    陈老师没说话。

    钱兰又问：“第三，环境适应性。”

    她指了指窗外的太阳：“冬天办公室里温度零下十度，夏天车间里四十度。动态存储的漏电流随温度指数级上升，高温下电荷根本存不住。要保证它在全温度范围内稳定工作，要么加温补电路，要么把刷新频率提得极高。无论哪种，都是巨大的工程。”

    会议室里安静得能听见空调的嗡嗡声。

    钱兰说了第四点：“第四，维修问题。六管静态单元，出问题了，能拿着放大镜对着版图查。哪个管子坏了，哪条线断了，能定位，能分析，能改。动态存储，电容漏电的原因可能是氧化层针孔、可能是杂质沾污、可能是界面态陷阱……查出来难，改起来更难。”

    她看着陈老师：“陈老师，我的问题问完了。”

    会议室里一片寂静。

    陈老师被驳得有点下不来台，脸上的表情变了好几下。

    所有人都惊呆了，都没想到钱兰会这么不给面子。

    过了好几秒，陈老师叹了口气：“钱工，你说得对。动态存储，以现在的工艺条件，确实做不出来。”

    他转身，把黑板上的动态存储图擦了。

    “但这个东西，方向是对的。”

    他重新写下一行字：一管一容，是未来。

    “我们现在做不出来，不代表以后做不出来。等工艺成熟了，等氧化层质量上去了，等能把刷新电路做得足够小、足够可靠，这条路，一定要走。”

    吕辰这时候站起来，打圆场：“陈老师说得对。追求大容量，方向没有错。这个方案非常有价值。”

    他看了看钱兰，又看了看陈老师：“咱们现在要做的，是给编程机做一块‘现在就能用、出了问题自己能修’的存储芯片。但动态存储的研究，不能停。等条件成熟了，这就是下一代存储芯片的基础。”

    钱兰也点点头：“陈老师，我刚才不是否定您的方案。一管一容，确实是未来的方向。等咱们的工艺成熟了，等氧化层质量上去了，等能把刷新电路做得足够小、足够可靠，我一定去做。”

    陈老师