既然知道需要什么了，肖宿立马着手，把之前谱域对消框架里的图拉普拉斯谱分解做了扩展。

    在原来的框架里，图上的节点是同一类物理实体，比如超表面上的纳米天线，或者物镜里的一片片透镜。

    但在新框架里，图的节点可以来自完全不同的物理子系统，光源的激光器是一个节点，物镜的镜片是一个节点，工件台的驱动电机也是一个节点，它们之间的耦合关系用不同物理量的交叉传递函数来描述。

    这个异构图的拉普拉斯矩阵一旦做谱分解，整个光刻系统的全局优化就变成了在模式空间里找一个联合极小值。

    但是光有优化框架还不够。

    即便把三个子系统的协同做到了极致，193纳米浸没式光刻的物理极限还是在那儿摆着，38纳米的分辨率极限不会因为优化做得好就自动突破。

    要真正实现质的飞跃，必须把工作波长缩短。

    EUV是现成的短波长方案，但EUV光源的效率问题一直是死结。

    肖宿翻了翻高长安那份材料里关于EUV光源的章节，又搜了几篇近两年发表在光学顶刊上的锡等离子体光源效率分析论文，越看越觉得这条路的方向本身就选得不太对。

    锡等离子体产生极紫外光的能量转化效率只有个位数百分比，大部分泵浦能量全变成了热，要维持稳定的光输出就需要庞大的冷却系统和超高功率的驱动激光器，整套光源系统复杂到堪比一座小型电站。

    他放下手里的论文，拿起笔在草稿纸上画了一个新的拓扑。

    有没有可能不依赖锡等离子体，也不依赖传统的193纳米深紫外激光器，而是走另一条路呢？

    比如，用一个短波长自由电子激光器数组做光源，用多个独立可控的激光束从不同角度同时照射掩模，再通过一个实时的波前协同控制系统把多束光在晶圆面上合成一个单一的、相位精确对齐的曝光光斑。

    这个思路的内核在于把光源输出高功率短波长光这个传统难题，转移到了多束中功率光在目标平面上相干合成这个可控性更强的数学问题上来。

    自由电子激光器可以产生从深紫外到软X射线波段的高亮度光，单束功率不需要做到象EUV驱动激光器那么高，因为最终的高功率是通过多束相干合成来实现的。

    而合成效率的关键在于每束光的相位控制精度，这恰好是谱域对消框架最擅长做的事。

    越想方法越多，肖宿埋头，在草稿纸上飞快地画着示意图。

    在掩模的上方是一个环形数组的自由电子激光器出射口，每束光经过独立的光程补偿器和波前整形器，再通过一个共同的物镜系统汇聚到晶圆表面。

    光程补偿器的控制信号由一个实时的波前传感器数组反馈，反馈算法用的就是扩展后的谱域对消框架。

    整个系统里没有EUV光源那种效率极低的锡等离子体过程，也没有193纳米浸没式光刻那种需要反复曝光、反复对准的多重曝光流程，将会节省更多的时间，成像质量也会随之上升。

    单次曝光的分辨率理论上可以推到接近光源波长的衍射极限，而自由电子激光器的波长是可以连续调谐的，从深紫外一路调到软X射线都没问题。

    他把这套新架构从头到尾推了一遍，从光源数组的排布拓扑到波前协同控制的内核算法，再到工件台的全局定位误差补偿策略，每一步的数学骨架都写在了纸上。

    推完之后他没耽搁，随手柄草稿纸上的内容整理归纳，改成了一份正式文档。。”

    他先在摘要的部分简要说明了一下现有光刻技术在光源效率和子系统协同两个维度上的瓶颈，以及新方案如何通过多束相干合成和异构耦合全局优化来绕开这些瓶颈。

    正文部分则是按光源数组设计、波前协同控制、全局耦合优化、工件台动态补偿这四个章节依次展开，每一章都附了相应的数学推导和参数边界估算。

    整份文档不算长，但信息密度很高。

    写完之后他把这份文档和之前那篇隐身衣的论文草稿一起打包，把高长安叫了进来。

    高长安敲门进来的时候，肖宿正把两份材料从印表机里拿出来。

    他把材料递给高长安，语气和平时倒没什么不同。

    “这两份材料，一份是光刻机的新方案，你帮我送到科技部去。

    另一份是关于隐形超材料的论文，今天帮我把课题申请了。”

    高长安接过材料，习惯性地先翻开了最上面的那份。

    结果翻开第一页，摘要第一句话就把他钉在了原地。

    “自由电子激光器数组”。

    他愣了一下，以为自己看错了。

    可他眨了眨眼睛看去，字还是没变。

    他又往下扫了一眼，各种高能词汇